福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻

研究室の紹介Laboratories

ＡｌＧａＮ／ＧａＮやＡｌＩｎＮ／ＧａＮなどのヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタの設計・試作・評価を行います。化合物半導体スループロセスのできる専用クリーンルームでの試作実験を通して数100ボルト級の高耐圧特性や数10ギガヘルツ以上の高周波特性をもつ新構造の電子デバイスの実現をめざします。